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第109章 布局功率半导体,数值与机制并存的美!

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“画饼”。

搭载相关技术的车型一旦走起量,将会直接把现有充电桩群,和未来超充桩的使用上限拔高一大截。

而许易所展示的,还只是第一代双枪快充技术。

实际上他们内部连第二代双枪快充的方案都有了,真正的研发一代储备一代,放出来简直亮瞎王垒的双眼!!

届时在两台120kw超充桩的加持下,直接能达到最大240kw的充电速度。

真正实现左脚踩右脚,商用充电桩的充电速度,压缩在半个小时以内。

目前60kw的商业充电桩。

充满一台车的效率,实际是要花费一个半多小时。

有些仅仅搭载了30kw快充模块的车子,更是需要两个小时多那么夸张。

出现这种情况,他们这种相关行业人士,其实内心比车主还急!

如果能把车子的充电速度,压缩在一个小时以内,那么随着新能源车数量增多,商用充电桩的翻台率将会提高一个量级。

原本被资本所不看好的商用充电桩,盈利空间直线上升,也会变成三方资本投资的香饽饽。

届时快充所需要的sic碳化硅模块,将会订单需求暴涨!

对他们来说是重大利好。

……

“许总,这边就是咱们的SiC二极管生产线,核心环节一共包括芯片加工、器件制造、封装测试三大模块……”

“高性能的SiC Schottky二极管,带来的开关损耗和反向恢复电荷都显著优于行业平均水平,导通电阻和高温稳定性,可以对标英飞凌……”

“用在快充模块这种核心功率部件上,能将效能发挥到最佳,且使用寿命和发热稳定性控制在极其良好的水平。”

聊完投资后,一切都变得愉快起来。

泰科天润技术总监陈默,主动带着许易一行人,参观起了公司内部精密的sic产线。

国产器件性能对标英飞凌——

这句话听起来很夸张。

但从前英飞凌总部的SiC器件设计专家嘴里说出来,又变得有几分可信度了。

“有了这笔资金支持,我们也可以着手扩充SiC MOSFET的研发设计,预计在20个月内可以完成SiC MOSFET的流片。

不过。

目前就算仅仅采用我们自研的SiC Schottky,预计快充模块的成本,也可以降低10


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